সিরামিক ক্যাপাসিটারগুলি কীসের জন্য ব্যবহৃত হয়?

সিরামিক উপকরণগুলির মধ্যে, ফেরোইলেক্ট্রিক সিরামিকগুলির একটি উচ্চ ডাইলেট্রিক ধ্রুবক থাকে এবং সাধারণত সিরামিক ক্যাপাসিটারগুলি প্রস্তুত করতে ব্যবহৃত হয়। সাধারণ ফেরোইলেকট্রিক সিরামিকগুলি বেশিরভাগ পেরোভস্কাইট-টাইপ স্ট্রাকচার, যেমন বেরিয়াম টাইটানেট সিরামিক এবং তাদের শক্ত সমাধান, পাশাপাশি টংস্টেন ব্রোঞ্জ-টাইপ, বিসমুথ স্তরযুক্ত যৌগ এবং পাইরোক্লোর ধরণের মতো কাঠামোযুক্ত। যাইহোক, ফেরোইলেক্ট্রিক সিরামিকগুলি সহ সাধারণ ফেরোইলেক্ট্রিক সিরামিক ক্যাপাসিটারগুলি তৈরি করার সময়, সিরামিক ডাইলেট্রিককে খুব পাতলা করা কঠিন। প্রথমত, ফেরোইলেকট্রিক সিরামিকগুলির কম শক্তির কারণে, পাতলা হলে এটি ভাঙ্গা সহজ, যা প্রকৃত উত্পাদন কার্যক্রম পরিচালনা করা কঠিন। দ্বিতীয়ত, যখন সিরামিক মাধ্যমটি খুব পাতলা হয়, তখন বিভিন্ন কাঠামোগত ত্রুটি দেখা দেয় এবং উত্পাদন প্রক্রিয়াটি খুব কঠিন।

অর্ধপরিবাহী সিরামিক ক্যাপাসিটার (1) পৃষ্ঠের ধরণের সিরামিক ক্যাপাসিটারগুলি
সারফেস টাইপ সেমিকন্ডাক্টর সিরামিক ক্যাপাসিটরটির অর্থ হ'ল সিরামিক বডিটি অর্ধপরিবাহী হয়েছে এবং তারপরে এর পৃষ্ঠটি খুব পাতলা ডাইলেট্রিক স্তর গঠনের জন্য পুনরায় অক্সিডাইজ করা হয় এবং তারপরে জিরকোনিয়া সিরামিক পিন ইলেক্ট্রোডগুলি ক্যাপাসিটার গঠনের জন্য সিরামিকের উভয় পাশে নিক্ষেপ করা হয়।
সাধারণত, সেমিকন্ডাক্টর সিরামিকের যেমন বাটিও 3 এর পৃষ্ঠে গঠিত একটি পাতলা অন্তরক স্তরটি ডাইলেট্রিক স্তর হিসাবে ব্যবহৃত হয় এবং অর্ধপরিবাহী সিরামিক নিজেই ডাইলেট্রিকের সিরিজ সার্কিট হিসাবে বিবেচিত হতে পারে। পৃষ্ঠের স্তর সিরামিক ক্যাপাসিটরের অন্তরক পৃষ্ঠের স্তরটির বেধ বিভিন্ন গঠনের পদ্ধতি অনুসারে 0.01 থেকে 100 μm পর্যন্ত পরিবর্তিত হয়। এটি কেবল ফেরোইলেক্ট্রিক সিরামিকগুলির উচ্চ ডাইলেট্রিক ধ্রুবককেই ব্যবহার করে না, তবে কার্যকরভাবে ডাইলেট্রিক স্তরটির বেধকে হ্রাস করে, যা মাইক্রো-মিনিয়েচার সিরামিক ক্যাপাসিটারগুলি প্রস্তুত করার জন্য কার্যকর সমাধান।
(২) শস্য সীমানা স্তর সিরামিক ক্যাপাসিটারগুলি
শস্য সীমানা স্তর টাইপ সেমিকন্ডাক্টর সিরামিক ক্যাপাসিটারগুলি অর্ধপরিবাহী সিরামিক বডি এর শস্য সীমানা বরাবর একটি অন্তরক স্তর গঠন করে এবং তারপরে সিরামিক শীটের উভয় পাশে ইলেক্ট্রোডকে অনুপ্রবেশ করে, এইভাবে একাধিক সিরিজ এবং সমান্তরাল ক্যাপাসিটার নেটওয়ার্ক গঠন করে। সাধারণত, উপযুক্ত ধাতব অক্সাইডগুলি (যেমন কিউও বা সিইউ 2 ও, এমএনও 2, বিআই 2 ও 3, টিএল 2 ও 3 ইত্যাদি) পর্যাপ্ত শস্য বিকাশের সাথে বিটিও 3 সেমিকন্ডাক্টর সিরামিকের পৃষ্ঠে লেপযুক্ত থাকে এবং তাপ চিকিত্সা একটি উপযুক্ত তাপমাত্রায় অক্সিডাইজিং অবস্থার অধীনে পরিচালিত হয়। অক্সাইডটি বিটিও 3 এর সাথে একটি ইউটেক্টিক ফেজ গঠন করবে, দ্রুত ছড়িয়ে পড়ে এবং খোলা ছিদ্র এবং শস্যের সীমানা বরাবর সিরামিকের অভ্যন্তরে প্রবেশ করবে এবং শস্যের সীমানায় একটি পাতলা সলিড সলিউশন অন্তরক স্তর তৈরি করবে। এই পাতলা সলিড সলিউশন অন্তরক স্তরটির একটি উচ্চ প্রতিরোধ ক্ষমতা রয়েছে (1012-1013 ω · সেমি পর্যন্ত)। যদিও সিরামিক শস্যের অভ্যন্তরটি অ্যালুমিনা সিরামিক এখনও একটি অর্ধপরিবাহী, পুরো সিরামিক বডি একটি উচ্চ ডাইলেট্রিক ধ্রুবক সহ একটি অন্তরক মাধ্যম হিসাবে আচরণ করে। এই ধরণের চীনামাটির বাসন দ্বারা তৈরি ক্যাপাসিটারগুলি বলা হয় শস্য সীমানা স্তর সিরামিক ক্যাপাসিটার বা সংক্ষেপে বিএল ক্যাপাসিটারগুলি।


2. উচ্চ ভোল্টেজ সিরামিক ক্যাপাসিটারগুলি
বৈদ্যুতিন শিল্পের দ্রুত বিকাশের সাথে, উচ্চ-ভাঙ্গন ভোল্টেজ, কম ক্ষতি, ছোট আকার এবং উচ্চ নির্ভরযোগ্যতা সহ উচ্চ-ভোল্টেজ সিরামিক ক্যাপাসিটারগুলি বিকাশ করা জিরকোনিয়া সিরামিক ব্লক জরুরি। উচ্চ-ভোল্টেজ সিরামিক ক্যাপাসিটারগুলির সাধারণ ফাংশন হ'ল উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি হস্তক্ষেপ দূর করা। ইলেক্ট্রোস্ট্যাটিক স্প্রে এবং অন্যান্য বৈদ্যুতিনচেনাল সরঞ্জামগুলির জন্য উচ্চ ভোল্টেজ এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি প্রয়োজন।
সাধারণ পৃষ্ঠটি প্রতিরক্ষামূলক এনামেল দিয়ে লেপযুক্ত, বা ইপোক্সির সাথে আবদ্ধ। এর মধ্যে, বেরিয়াম টাইটানেট-ভিত্তিক সিরামিক উপকরণগুলির উচ্চ ডাইলেট্রিক সহগ এবং ভাল এসি ভোল্টেজের বৈশিষ্ট্যগুলি সহ্য করার সুবিধা রয়েছে, তবে তাদের মধ্যেও যেমন ক্যাপাসিট্যান্স পরিবর্তনের হার বৃদ্ধি হয় মাঝারি তাপমাত্রা এবং ইনসুলেশন প্রতিরোধের হ্রাস; স্ট্রন্টিয়াম টাইটানেট স্ফটিকগুলি ঘরের তাপমাত্রায় কিউবিক স্ফটিক হয় পেরোভস্কাইট কাঠামো স্বতঃস্ফূর্ত মেরুকরণ ছাড়াই একটি প্যারেলেকট্রিক শরীর। উচ্চ ভোল্টেজের অধীনে, স্ট্রন্টিয়াম টাইটানেট-ভিত্তিক সিরামিক উপকরণগুলির ডাইলেট্রিক সহগ সামান্য পরিবর্তন হয় এবং ডাইলেট্রিক ক্ষতি এবং ক্যাপাসিট্যান্স পরিবর্তনের হার ছোট। এই সুবিধাগুলি এটিকে উচ্চ-ভোল্টেজ ক্যাপাসিটারগুলির জন্য একটি মাধ্যম তৈরি করে। খুব উপকারী।
উচ্চ ভোল্টেজ সিরামিক ক্যাপাসিটার

3. মাল্টিলেয়ার চিপ সিরামিক ক্যাপাসিটারগুলি
মাল্টি-লেয়ার চিপ সিরামিক ক্যাপাসিটারগুলি, যা এমএলসিসি (মাল্টি-লেয়ার সিরামিক ক্যাপাসিটার) নামেও পরিচিত, এটি সর্বাধিক ব্যবহৃত ধরণের চিপ উপাদান। একে চিপ মনোলিথিক ক্যাপাসিটারও বলা হয়। এটিতে অ্যালুমিনা সিরামিক বার রয়েছে ছোট আকারের, উচ্চ নির্দিষ্ট ভলিউম এবং উচ্চ নির্ভুলতার বৈশিষ্ট্য। এটি কার্যকরভাবে বৈদ্যুতিন তথ্য হ্রাস করতে মুদ্রিত সার্কিট বোর্ড এবং হাইব্রিড ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট সাবস্ট্রেটে মাউন্ট করা যেতে পারে। শেষ পণ্যের ভলিউম এবং ওজন পণ্যের নির্ভরযোগ্যতা উন্নত করে।
এমএলসিসির কাঠামো
এমএলসিসি চার্জ সংরক্ষণ, ডিসি ব্লক করা, ফিল্টারিং, বিভিন্ন ফ্রিকোয়েন্সি এবং বৈদ্যুতিন সার্কিটগুলিতে টিউনিং সার্কিটের পার্থক্য করার ভূমিকা পালন করতে পারে। উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি স্যুইচিং পাওয়ার সাপ্লাই, কম্পিউটার নেটওয়ার্ক পাওয়ার সাপ্লাই এবং মোবাইল যোগাযোগ সরঞ্জামগুলিতে এটি আংশিকভাবে জৈব ফিল্ম ক্যাপাসিটার এবং ইলেক্ট্রোলাইটিক ক্যাপাসিটারগুলি প্রতিস্থাপন করতে পারে এবং ফিল্টারিং পারফরম্যান্স এবং উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি স্যুইচিং পাওয়ার সরবরাহের বিরোধী-হস্তক্ষেপের পারফরম্যান্সকে ব্যাপকভাবে উন্নত করতে পারে, মেনে চলে, আইটি শিল্পের ক্ষুদ্রায়ন এবং হালকা ওজন। , উচ্চ-পারফরম্যান্স, বহু-কার্যকরী বিকাশের দিকনির্দেশ।

এমএলসিসির তিনটি প্রধান উন্নয়ন প্রবণতা:
(1) মিনিয়েচারাইজেশন
পকেট আকারের বৈদ্যুতিন পণ্য যেমন ক্যামকর্ডার এবং মোবাইল ফোনের জন্য, আরও মিনিয়েচারাইজড এমএলসিসি পণ্যগুলির প্রয়োজন। অন্যদিকে, নির্ভুলতা মুদ্রিত ইলেক্ট্রোড এবং ল্যামিনেশন প্রক্রিয়াগুলির অগ্রগতির কারণে, অতি-ছোট এমএলসিসি পণ্যগুলিও ধীরে ধীরে সিরামিক ফ্ল্যাঞ্জ উপলব্ধ হয়ে যায় এবং প্রয়োগ হয়।
(২) ব্যয় হ্রাস
যেহেতু traditional তিহ্যবাহী এমএলসিসিগুলি ব্যয়বহুল প্যালাডিয়াম ইলেক্ট্রোড বা সিলভার অ্যালো ইলেক্ট্রোড ব্যবহার করে, তাদের উত্পাদন ব্যয়ের 70% ইলেক্ট্রোড উপকরণ দ্বারা দখল করা হয়। উচ্চ-ভোল্টেজ এমএলসিসি সহ এমএলসিসির নতুন প্রজন্ম, ইলেক্ট্রোড হিসাবে নিকেল এবং তামা জাতীয় ধাতব উপকরণ ব্যবহার করে, যা এমএলসিসিগুলির ব্যয়কে ব্যাপকভাবে হ্রাস করে। ব্যয়, তবে ধাতব অভ্যন্তরীণ ইলেক্ট্রোডকে ইলেক্ট্রোড উপাদানের পরিবাহিতা নিশ্চিত করার জন্য একটি নিম্ন অক্সিজেন আংশিক চাপে সিন্টার করা দরকার এবং খুব কম অক্সিজেন আংশিক চাপ ডাইলেট্রিক সিরামিক উপাদানের অর্ধপরিবাহী প্রবণতা নিয়ে আসবে, যা নিরোধক এবং নির্ভরযোগ্যতা।
(3) বড় ক্ষমতা এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি
একদিকে, নিম্ন-ভোল্টেজ ড্রাইভ এবং সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলির কম বিদ্যুৎ খরচ সহ, ইন্টিগ্রেটেড সার্কিটগুলির অপারেটিং ভোল্টেজ 5V থেকে 3 ভি এবং 1.5V এ কমিয়ে আনা হয়েছে; অন্যদিকে, বিদ্যুৎ সরবরাহের ক্ষুদ্রায়নের জন্য ভারী অ্যালুমিনিয়াম বৈদ্যুতিন বিশ্লেষণ ক্যাপাসিটার প্রতিস্থাপনের জন্য ছোট এবং বৃহত ক্যাপাসিটার পণ্যগুলির প্রয়োজন। এই জাতীয় নিম্ন-ভোল্টেজ এবং অ্যালুমিনা সিরামিক বৃহত-ক্ষমতার এমএলসিসিগুলির বিকাশ এবং প্রয়োগ পূরণের জন্য, উপকরণগুলির ক্ষেত্রে, বিটিও 3 এর চেয়ে 1-2 গুণ বেশি আপেক্ষিক অনুমতি সহ শিথিলকরণ-ধরণের উচ্চ-ডাইলেট্রিক উপকরণগুলি বিকাশ করা হয়েছে।
যোগাযোগ শিল্পের দ্রুত বিকাশের উপাদানগুলির জন্য উচ্চতর এবং উচ্চতর ফ্রিকোয়েন্সি প্রয়োজনীয়তা রয়েছে, যা কিছু উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনগুলিতে ফিল্ম ক্যাপাসিটারগুলি প্রতিস্থাপন করতে পারে। বর্তমানে, আমার দেশের উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি এবং অতি-উচ্চ-ফ্রিকোয়েন্সি এমএলসিসি পণ্যগুলির এখনও বিদেশের তুলনায় একটি নির্দিষ্ট ফাঁক রয়েছে। মূল কারণ হ'ল প্রাথমিক কাঁচামালগুলির গবেষণা এবং বিকাশের অভাব এবং তাদের সূত্রগুলি।